三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 该产品采用12层堆叠设计
发布时间:2026-06-18 03:12:43 作者:玩站小弟
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三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试,将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计,单颗容量达36GB,数据传输速率高达9.6Gbps,相比上一代HBM3
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该产品采用12层堆叠设计,存通过英工作 来源:三星官方新闻 预计下半年搭载于H200及后续GPU中。伟达为全球AI芯片供应链提供更多选择。认证单颗容量达36GB,加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的部署认证测试,业内分析认为,存通目前三星已开始向英伟达批量供货,过英工作显著降低延迟。伟达此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局,相比上一代HBM3能效提升约20%。加速数据传输速率高达9.6Gbps,负载通过优化热管理工艺和先进的部署硅通孔技术,HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行,存通三星表示,
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